電気電子系 News
結晶性制御によるスパッタMoS2膜の結晶粒界誘起強磁性
今回、電気電子系約140名の中から15名が、優れた修士論文発表を行いこの賞を受賞しました。 受賞者にインタビューです。
本研究は、Siに変わる次世代の半導体材料として期待されているMoS2に強磁性を誘起させる研究です。
スパッタリング法という成膜手法を用いることによって、他の手法よりも簡単に強力な強磁性を誘起できることが明らかとなりました。
既存の半導体デバイスは電荷自由度のみを利用しますが、そこに強磁性の源であるスピン自由度を加えることにより、新機能を有するデバイスを創生できます。
具体的には、既存の半導体磁気センサよりも高感度な磁気センサや、複雑な論理演算回路を少ないトランジスタ数で実現できるスピントランジスタなどが挙げられます。
スパッタMoS2膜はこれらデバイスの材料候補として非常に有望であると言えます。
優秀修士論文賞ご選出いただき誠にありがとうございます。
ご議論いただいた先生方および研究室の方々に深く感謝いたします。
本研究はスパッタMoS2の弱点とされていた部分を積極的に利用した研究です。
皆さんの研究の中で何か弱点が見つかったとしても、見方を変えることで面白い研究に発展する可能性があります。
弱点が見つかっても悲観せず、いろいろな角度から自分の研究にアプローチしてみるのもよいのではないでしょうか。