電気電子系 News
シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の研究
今回、電気電子系約140名の中から15名が、優れた修士論文発表を行いこの賞を受賞しました。受賞者にインタビューです。
様々な電気機器に使用されているシリコン製パワーに於いて、内部にひずみを導入することによって高性能化を実現することを目指した研究です。この研究により、将来電気機器の消費電力を削減することができると考えられます。
優秀修士論文賞を受賞し、大変嬉しく思います。修士研究ではうまくいかないことが多く、何度も実験をやり直す辛い時期がありましたが、最後まで諦めずに取り組んだことが結果に繋がったと思います。また研究室内外の友人のおかげでモチベーションを高く保つことができました。
ご指導を頂いた筒井一生教授、星井拓也助教に、心より感謝致します。