若林整研究室の松浦賢太朗さんがYoung Awardを受賞

受賞者の声

この口頭発表では、ARディスプレイや高性能ロジックLSI向けに期待されている二次元半導体トランジスタ(2D FET)デバイス技術として、Bottom Up成膜技術により形成したMoS2膜をチャネル材料としたTop-gate nMOSFETにおいて、世界で初めてノーマリーオフ特性を実現したことを明らかにしました。特に、ゲート絶縁膜材料として単層Al2O3膜を、またソース・ドレインのコンタクトとしてMoSi2膜を用いて、さらにプロセスインテグレーション技術を高度化することで実現しました。今後もこの結果を基礎として、トランジスタ特性のさらなる高性能化を目指して研究を推進する予定です。