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Pham研究室の佐々木樹里行さんが国際学会賞SSDM Young Researcher Awardを受賞

BiSbトポロジカル絶縁体/NiO反強磁性絶縁体を用いた高性能スピン注入源の開発

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2023.09.08

2022年3月に電気電子コース修士課程を修了された、Pham研究室の佐々木樹里行さん（現東京エレクトロン社の社員）が国際学会賞SSDM Young Researcher Awardを受賞しました。対象となった研究は”Highly Efficient Spin Current Source Using BiSb Topological Insulator / NiO Bilayers”で、サムスン日本研究所との共同研究成果です。

賞状を受け取った佐々木樹里行さん（左）

今回の受賞は、トポロジカル絶縁体BiSbと反強磁性絶縁体NiOを組み合わせれば、BiSbのスピンホール効果によるスピン流の注入性能を向上させることができた業績が評価されました。スピン流は電子のスピン角運動量の流れであり、磁性体を利用したSOT-MRAMの磁化を効率よく制御できることが知られています。BiSbはスピンホール効果が極めて強いと知られていますが、SOT-MRAMの下部層として使う場合には、Sbの磁性体への拡散やシャント電流を抑制する必要があります。

佐々木樹里行さんは下部層としてのBiSbとCo磁性薄膜の間に反強磁性絶縁体NiOを挿入すると、BiSbからCoへのSb拡散を抑制し、BiSbの有効なスピンホール角が大幅に改善すること、また、Coが垂直磁気異方性を示すことを見だしました。本成果はBiSbトポロジカル絶縁体をSOT-MRAMへ集積する際に、重要な技術であることが高く評価されました。