濱田拓也さん（若林整研究室 D3）がBest Interactive Paper Awards, EDTM 2021, EDS, IEEE受賞！！！

学会名：

The 5^th Electron Devices Technology and Manufacturing（EDTM）Conference 2021

賞の名称：

Best Interactive Paper Awards 2nd Place

受賞者：

濱田拓也

タイトル：

WS₂ pMISFETs by Sputtering and Sulfur-Vapor Annealing with TiN/HfO₂-Top-Gate-Stack, TiN Contact and Ultra-Thin Body and Box

受賞日：

2021年4月11日

• 受賞者のコメント

本研究では、2次元半導体材料の2硫化タングステン（WS₂）を物理気相成長法（PVD）の1種であるRFマグネトロンスパッタリング法によって成膜し、これをチャネルに適用したpMISFETを作製しました。スパッタWS₂薄膜の硫黄雰囲気アニールによる結晶性および電気特性の向上とTiN/HfO₂/WS₂のトップゲートMIS構造の適用によって、正孔が伝導を担うp型動作のWS₂ MISFETを達成しました。本成果は、スケーリング則に則って半導体チャネルの微細化が進むロジックLSIに適用可能なCOMS回路用p型トランジスタとして期待できます。