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Pham研のNguyen Huynh Duy Khangさんが応用物理学会・スピントロニクス研究会の英語講演奨励賞を受賞

室温かつ磁場印加なしで安定なスキルミオンの発生に成功

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2019.03.20

Nguyen Huynh Duy Khang さん

Nguyen Huynh Duy Khang さん

Pham研究室の博士課程のNguyen Huynh Duy Khangさんが2018年秋季応物学会学術講演会に発表した「Room-temperature field-free formation of stable skyrmions in BiSb/MnGa bi-layers」の研究がスピントロニクス研究会第10回英語講演奨励賞を受賞しました。本賞は応用物理学会スピントロニクス大分類において英語講演を行った学生講演者の中から、各中分類で最も素晴らしい発表をされた学生に送られる賞です。2019年春季応物学会学術講演会に表彰されました。

今回の受賞は室温で磁場印加なしでスキルミオンの発生に成功した業績が評価されました。スキルミオンとはトポロジカル的な磁気渦構造で、次世代な磁気記録に応用できると期待されています。しかし、今までの研究では室温において、磁場印加なしでは、準安定なスキルミオンしか発生できませんでした。そのために、安定なスキルミオンを発生させるには、磁場を印加する必要がありました。今回の研究では、BiSbトポロジカル絶縁体とMnGa垂直磁化膜の界面における巨大なジャロシンスキー・守谷相互作用を利用することで、室温かつ磁場印加なしでスキルミオンの発生に成功しました。

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