ファム研究室のPham Van Thuanさん（博士2年）がVJSS2026国際シンポジウムでBest Poster Presentationを受賞

受賞者：

Pham Van Thuan (博士2年)

賞：

Best Poster Presentation

学会名：

Vietnam-Japan Semiconductor Symposium 2026

受賞日：

2026年9月21日

論文題目：

Top-BiSb SOT-MRAM With a Conductive RuOx Interlayer for CMOS BEOL Process Compatibility

SOT-MRAMは1ns級の超高速かつ1兆回以上の書き換えができる次世代不揮発性メモリです。SOT-MRAMを実用化するためには、データを記録する磁気トンネル接合の素子にデータの書き換えを担当するスピンホール効果の優れた材料を集積する必要があります。その候補として近年に注目された量子材料BiSbトポロジカル絶縁体がありますが、従来の磁気トンネル接合をBiSbの上に集積したbottom構造では、製膜後に400度の熱処理やＣＶＤによる絶縁膜の成膜など、 CMOS BEOLプロセスに対応できない懸念があります。本研究では、この課題を解決するために、400度の熱処理、CVDによる絶縁膜の成膜、およびCMPによる平坦化が済んだ磁気トンネル接合の上にBiSbを成膜する top構造を提案しました。また、top構造に適する中間層として電気伝導性とスピン流透過性があるRuOxを採用し、top構造におけるBiSbの集積と巨大なスピンホール効果による低電流密度による書き換えの実証に成功しました。