濱田昌也さん（若林整研究室 D3）がBest Original Invited Paper Award, IWJT 2021, JSAP and IEEE/EDS受賞

学会名：

20th International Workshop on Junction Technology 2021

賞の名称：

Best Original Invited Paper Award

受賞者：

濱田昌也

タイトル：

Side-contact Architecture for p/n Stacked-Nano-Sheet ZrS₂ 2D-FETs Beyond 1-nm Technology Node

受賞日：

2021年6月11日

• 受賞者のコメント

本発表では、次世代の半導体LSIトランジスタのチャネル材料として注目されている2次元半導体の産業応用に向けた研究動向について報告し、これに加えて発表者の研究対象であり近年特に優れた電気特性が予測されている二硫化ジルコニウム（ZrS₂）に関して、物理気相成長法（PVD）による大面積成膜やこれをチャネルに適用したMISFET、そして1 nm ノード以降を見据えた二次元半導体のサイドコンタクト技術について報告を行った。ZrS₂は他の二次元半導体に比べてより大きなオン電流を持つn-、p-両タイプのトランジスタを実現できることが予測され、加えてトランジスタサイズをSiよりさらに小さくできることから先端LSIの高性能化を牽引することが期待されている。