電気電子系 News
IEEE, EDS主催国際会議EDTM2018
若林整研究室の安重英祐さんがIEEE, Electron Devices Society (EDS)主催の2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018において、Best Poster Awardを受賞しました。
このポスター発表では、高性能ロジックLSI向けトランジスタ技術として、FinFETの次に期待されるナノワイヤーやナノシート構造のさらに先をターゲットとして、p/n積層でFinFET上にナノワイヤーを形成することにより、セルフヒーティング効果を抑制でき、さらにセル面積を顕著に小さくできることを明らかにしました。例えば6つのトランジスタからなるSRAMでは20%の面積低減を実現できます。今後もこの結果を基礎として研究を推進する予定です。