電気電子系 News

若林整研究室の安重英祐さんがBest Poster Awardを受賞

IEEE, EDS主催国際会議EDTM2018

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2018.07.23

安重英祐さんとIEEE, Electron Devices Society, PresidentのDr. Fernando Guarin, 授賞式にて

安重英祐さんとIEEE, Electron Devices Society, PresidentのDr. Fernando Guarin, 授賞式にて

若林整研究室の安重英祐さんがIEEE, Electron Devices Society (EDS)主催の2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018において、Best Poster Awardを受賞しました。

  • 受賞論文
学会名
2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018
賞の名称
Best Poster Award
受賞者
安重英祐
タイトル
Self-Heating-Effect-Free p/n-Stacked-NW on Bulk-FinFETs and 6T-SRAM Layout
受賞日
2018年3月16日

このポスター発表では、高性能ロジックLSI向けトランジスタ技術として、FinFETの次に期待されるナノワイヤーやナノシート構造のさらに先をターゲットとして、p/n積層でFinFET上にナノワイヤーを形成することにより、セルフヒーティング効果を抑制でき、さらにセル面積を顕著に小さくできることを明らかにしました。例えば6つのトランジスタからなるSRAMでは20％の面積低減を実現できます。今後もこの結果を基礎として研究を推進する予定です。

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