電気電子系 News
角嶋研究室の龍口傑さん(M2)がChina Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 2018においてSEMI Best Student Paper Awardを受賞しました。
この研究では、Siの厚さが2.7nmまでの横型の極薄Si太陽電池を作製し、Siの薄膜化による量子閉じ込め効果で、開放電圧の上昇を観測しました。また、その発電特性においては、Siの表面電位が及ぼす影響を実験と理論で明らかにし、太陽電池動作に対して最適な表面電位が存在することを示しました。一方、発電領域となるi領域の長さと発電特性を調査した結果、5μmの長さで短絡電流が飽和する結果を得た。この結果を基にキャリアの拡散長が2.5μmであると推定することで、i領域のキャリアライフタイムを求める手法を提案した。