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量子干渉効果と格子欠陥が磁気準粒子に及ぼす作用を中性子散乱で観測
東京工業大学 理学院 物理学系の栗田伸之助教、田中秀数教授らの研究グループは、量子反強磁性体Ba2CoSi2O6Cl2の中性子散乱実験により、この磁性体中ではトリプロンと呼ばれる磁気準粒子が、相互作用のフラストレーションによる量子干渉効果によって全く動けなくなることを確認しました。また、格子欠陥による不対スピンとトリプロンが量子力学的励起状態を形成することを明らかにしました。この成果は7月13日付けの米国の学術誌「Physical Review Letters」電子版に掲載されました。
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