新材料設計指針により世界最高の臨界電流密度を有する鉄系超伝導薄膜を創製

[用語1] キャリア密度 : 体積あたりの電荷キャリアの個数である。鉄系超伝導SmFeAs_1–xO_xのキャリアは、電子（物質中で負の電荷を運ぶ担体として振る舞う）である。一方、銅酸化物高温超伝導YBa₂Cu₃O_yや鉄系超伝導BaFe₂(As_1–xP_x)₂およびFeSe_1–xTe_xにおけるキャリアは、ホール（物質中で正の電荷を運ぶ担体として振る舞う）である。

[用語2] 磁束ピン止め点 : 磁場下の超伝導体内には、量子化された磁束（量子化磁束）が侵入する。この量子化磁束は、超伝導に流れる超伝導電流と磁場によるローレンツ力（電磁場中で運動する荷電粒子が受ける力）を受け、超伝導体内を運動するため、この運動により超伝導電流が流れにくくなる。そこで、超伝導電流向上を目的に、量子化磁束の運動を抑制（ピン止め）するために導入する非超伝導相のことを磁束ピン止め点とよぶ。

[用語3] 鉄系超伝導材料SmFeAsO_1–xH_x : 2008年に東京工業大学の細野秀雄栄誉教授のグループにより発見された鉄を含む一連の超伝導体群（鉄系超伝導体）の一つでLnFeAsO（Lnはランタノイド）を母相とした超伝導体。SmFeAsOの最高臨界温度は、55ケルビン（摂氏－218度）に達し、これは銅酸化物系を除くと常圧下での超伝導材料としては最も高い値である。

[用語4] テスラ : 磁場（磁束密度）の強さを表し、Tで表記される。