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キム・ジョンファン(Kim Junghwan)助教が令和4年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞を受賞

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2022.06.03

キム・ジョンファン(Kim Junghwan)助教が、科学技術に関する研究開発、理解増進等において顕著な成果を収めたとして、令和4年度科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞を受賞しました。文部科学省が4月8日、発表しました。表彰式は4月20日、文部科学省(東京都千代田区)で行われました。

若手科学者賞は、萌芽的な研究、独創的視点に立った研究等、高度な研究開発能力を示す顕著な研究業績をあげた40歳未満の若手研究者を対象としています。令和4年度は98名が受賞しました。

東京工業大学では、キム・ジョンファン(Kim Junghwan)助教を含む12名の関係者が令和4年度科学技術分野の文部科学大臣表彰を受賞しました。受賞者の詳細については、東工大ニュース:「東工大関係者12名が令和4年度科学技術分野の文部科学大臣表彰を受賞」別窓をご覧ください。

若手科学者賞

キム・ジョンファン(Kim Junghwan) 元素戦略研究センター 助教

 受賞業績:新規ハロゲン化物による電子および光機能開拓の研究

キム助教

キム助教

金属ハロゲン化物は溶液法が用いられるため、低温かつ安価な薄膜プロセスを可能にします。特に近年注目されているウェアラブルやフレキシブルエレクトロニクスなどへの応用が大きく期待されます。一方、従来多く研究されているペロブスカイト型ハロゲン化物は毒性元素の鉛を含むといった問題があり、エコマテリアル化が必須と考えられております。しかしながら、ペロブスカイト型ハロゲン化物ではどうしても鉛元素以外では良好な特性が得られてないといった問題が今現在も続いております。このような背景から本研究では、ペロブスカイト型に囚われない網羅的な材料探索を行いました。その結果、エキシトンを強く束縛できる0次元的電子構造を有するCs3Cu2I5やCs5Cu3Cl6I2を新たに見出すことに成功しました。どちらも青色発光体で90%以上の効率を示すことから今現在、世界的に大きな注目を集めております。さらに非晶質p型半導体のCu-Sn-Iの創製、ペロブスカイトLEDの低電圧や超高輝度化などにも成功しており、今後も金属ハロゲン化物基盤の電子材料創製およびデバイス応用に力を入れて取り組みたいと思います。
受賞対象となった研究成果は、これまでご指導下さった先生、共同研究者、学生の皆様の協力のもと成し得たものであり、この場を借りて心より感謝申し上げます。

金属ハロゲン化物ベースの新規材料創製およびデバイス応用の例

金属ハロゲン化物ベースの新規材料創製およびデバイス応用の例

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