エピタキシャルCVD法による二次元原子膜の成長とその展開

量子物理学・ナノサイエンス第261回セミナー

概要

近年、グラフェンをはじめとした二次元原子膜が注目を集め、材料合成・物性測定・応用開発が活発に行われている。我々は、グラフェンのもつ高移動度など真に優れた特性を活かすためには、高品質な材料創製技術が必要と考え、エピタキシャルCVD法という新たな方法を開発してきた。本講演では、サファイア上のCu(111)薄膜を用いた単層グラフェンの超高品質合成の取り組み、そして二層グラフェンの選択成長やインターカレーションについて解説する。その後、遷移金属カルコゲナイドやペロブスカイトなどとのヘテロ構造体、最近のトピックスである六方晶窒化ホウ素のCVD成長などについて紹介する。さらに、当センターで進めている二次元材料のオープンイノベーションに向けた取り組みについても紹介したい。

• 量子物理学・ナノサイエンス第261回セミナー

• 量子物理学・ナノサイエンス先端研究センター 主催
• 東京工業大学理学院・物理学系 共催