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マルチスケールモデリングによる SiCにおける結晶多形制御

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日程
2017年4月19日(水)
時間
10:30 - 11:30
場所

大岡山キャンパス別窓 本館 2階 H284A 物理学系輪講室

講師
柿本浩一教授(九州大学 応用力学研究所)
お問い合わせ先

連絡教員:物理学系 斎藤晋(内線2070)

量子物理学・ナノサイエンス第37回特別セミナー

概要

結晶成長は表面界面で生じるために、表面界面の情報を数値解析に盛り込むことで、結晶の成長過程を定量的に数値解析することが可能となる。本発表では、SiCの結晶成長で問題となる結晶多形の制御について紹介する。第一原理計算に基づく原子レベルの解析により求めた表面エネルギーと、連続体モデルにより求めた過飽和度との関係から、結晶多形の核生成自由エネルギーを算出し、優先して成長する結晶多形を予測可能とする解析結果等を紹介する。

  • ナノサイエンス・量子物理学国際研究センター 主催
  • 東京工業大学理学院・物理学系、「ナノサイエンスを拓く量子物理学拠点」 共催

更新日:2017.04.12

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