2023年度優秀修士論文賞 受賞！― 仁田 帆南さん（中川茂樹研究室）―

この研究では、MHz領域で動作可能な薄膜磁心とそれを応用した薄膜インダクタの作製と評価を行いました。

近年、電源回路の高周波化が進み、回路内の受動素子であるインダクタの高周波動作化、延いては磁心が高周波帯で低損失であることが求められています。

私たちの研究グループで作製している、対向ターゲット式スパッタ法で形成したCoFeB-SiO₂グラニュラー薄膜は、高周波パワーエレクトロニクス回路用薄膜インダクタの低鉄損磁心として期待されています。本研究では、半導体製造プロセスを用いたプレーナー型インダクタ製造プロセスの開発・改良を行い、CoFeB-SiO₂薄膜を用いたプレーナー型インダクタの評価を行いました。また、作製したインダクタを4MHzで駆動するDC-DCコンバータに搭載し、回路評価を行いました。この研究は、薄膜磁性コアの鉄損評価技術の開発や集積電源回路の高周波化に寄与すると期待されます。

この度は、栄えある賞を受賞できたことを大変光栄に思います。
中川教授、髙村助教をはじめとした多くの方々の支えによって研究を進めることができました。感謝しています。
また、切羽詰まってつらいときにもともに最後まで一緒に走り続けてくれた研究室の仲間にも感謝します。
ありがとうございました。