葛本･堀口研究室 ―研究室紹介 #42―

電気電子系では、最先端の研究施設と各分野で活躍中の教員の直接指導により、学生でも世界に誇れる研究成果を出し、自分自身で発表することができます。電気電子系には、大きく分けると「回路」「波動・光および通信」「デバイス」「材料・物性」「電力・エネルギー」の5つのグループがあります。各教員はいずれかのグループに所属しており、研究室単位での研究が行われています。

研究室紹介シリーズでは、ひとつの研究室にスポットを当てて研究テーマや研究成果を紹介。今回は、パワーデバイスのモデル化で高性能パワエレ機器の実現を目指す、葛本・堀口研究室です。

研究分野	パワーエレクトロニクス、電子デバイス
キーワード	パワーデバイス、デバイスモデル、Si・SiC、トランジスタ、ダイオード、シミュレーション

主な研究テーマ

• パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるパワー半導体の過渡応答を表現するデバイスモデルを構築
• デバイスモデルを用いたスイッチング損失、EMIノイズなどパワエレ機器の解析評価手法を開発

最近の研究成果

次世代パワーエレクトロニクス技術

パワーデバイスの物理モデルの構築

電気自動車、新エネルギー機器の電力変換回路を設計するためPSpice等の回路シミュレータ上で動作するデバイスモデルを開発

• IGBT物理モデルを用いた静特性と短絡動作解析（定格：600 - V、 30 - A）

  

• SiC-MOSFET準物理モデルを用いた応用解析事例

  

  図（上）DC/DC コンバータ回路図　図（下）DC/DC コンバータのMOSFET損失解析結果

小杉、中村、葛本、赤木、堀口、木ノ内、宮崎「SiC-MOSFETモデルを用いた双方向DC/DCコンバータの損失解析」
電子デバイス／半導体電力変換合同研究会、EDD-15-092,SPC-15-174(2015)

教員からのメッセージ

電気電子系の全研究室を紹介したパンフレットは広報誌ページでご覧いただけます。

• 広報誌
• 研究室と研究テーマ

※この内容は2016年3月発行の電気電子系パンフレットによります。最新の研究内容については各研究室にお問合せください。